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可控硅击穿
来源: | 作者:prof62b82 | 发布时间: 1717天前 | 5549 次浏览 | 分享到:
可控硅击穿现象
1.可控硅所通过的电流过大，而引起熔丝熔断或可控硅炸开，阻抗呈现大。电流过大有：A/负荷过大；B/负载侧碰壳短路；C/输出相与相短路。
2.可控硅所承受的电压过高，其薄弱的地方是其触发组，因电压过高使得SCR触发角被损坏，阻抗呈导通现象。电压过高有：A/系统电压波动较大，有连续较高的峰值；B/负载侧反馈回电压冲击；C/控制器的电源电压规格不符。
3.SCR控制变压器(TF)，一次侧加装1组假负载（电阻），否则SCR模块可能可能常常击穿。原因：当二次侧负载（加热体）断路时，会瞬间产生高压，而感应到一次侧，高电压则冲击到SCR模块触发角而导致短路之现象。
4.可控硅底板温度超过80度，散热不良导致可控硅击穿！

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